Transistor NPN de propósito general. IC: 200mA, PD: 625mW, VCEO: 40V, VCBO: 60V, VEBO: 6V, encapsulado TO-92.
Características:
- Tensión Colector Emisor V(br)ceo: -45V
- Corriente de Colector DC: -800mA
- Ganancia de Corriente DC hFE: 250
- Diseño de Transistor: TO-92
- Disipación de Potencia Pd: 1.5W
- Frecuencia de Transición ft: 260MHz
- Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
- Núm. de Contactos: 3
- Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
- Transistor, Polaridad: PNP