Transistor N-MOSFET unipolar 200V 65A 190W TO220AB HEXFET®. Mod. IRFB4227PBF

Esta combinación no existe.

Términos y condiciones
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Fabricante	Infineon (IRF)
Tipo de transistor	N-MOSFET
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	200V
Corriente del drenaje	65A
Potencia	190W
Carcasa	TO220AB
Tensión puerta-fuente	±30V
Resistencia en estado de transferencia	26mΩ
Resistencia térmica conector-carcasa	0.45K/W
Montaje	THT
Carga de puerta	70nC
Tecnología	HEXFET®

Información adicional