Especificaciones:
Tipo de transistor | N-MOSFET |
Polarización | unipolar |
Tensión drenaje-fuente | 30V |
Corriente del drenaje | 3,8A |
Poder disipado | 1,2W |
Carcasa | SOT23, TO236AB |
Tensión puerta-fuente | ±20V |
Resistencia en estado de transferencia | 34mΩ |
Montaje | SMD |
Carga de puerta | 10,8nC |
Clase de empaquetado | bobina, cinta |
Clase de canal | enriquecido |