Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Disipación total del dispositivo (Pd): 280
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10
Corriente continua de drenaje (Id): 20
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
Cápsula: TO3P