Transistor N-MOSFET 30 A 60 V TO-220AB . Mod. FQP30N06
Especificaciones:
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 30 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 40 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -25 V, +25 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 79 W |
| Material del transistor | Si |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 10 ns |
| Dimensiones | 10.1 x 4.7 x 9.4mm |
| Longitud | 10.1mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 725 pF a 25 V |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 35 ns |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Serie | QFET |
| Altura | 9.4mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.7mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 19 nC a 10 V |