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Transistor IGBT-N 60A 600V 187W TO-247. Mod. K30H603

Transistor MOSFET IGBT
4,90 € 4,90 €

Términos y condiciones
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Envío: 2-3 días hábiles

Funciones destacadas del K30H603

  • IGBT de alta velocidad
  • Voltaje de operación de 600V
  • Corriente de colector de 30A
  • Baja pérdida por conducción
  • Diodo antiparalelo integrado
  • Tecnología Trench y Fieldstop

Usos comunes del K30H603

El K30H603 se utiliza en:

  • Inversores de potencia
  • UPS (Sistemas de alimentación ininterrumpida)
  • Soldadoras electrónicas
  • Convertidores DC-AC
  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • Equipos industriales de potencia

Características técnicas

  • Modelo: K30H603
  • Tipo: IGBT de potencia
  • Tecnología: Trench + Fieldstop
  • Voltaje colector-emisor (VCES): 600V
  • Corriente de colector (IC): 30A
  • Corriente de cortocircuito: Hasta 160A
  • Voltaje de compuerta-emisor (VGE): ±20V
  • Temperatura máxima de unión: 175°C
  • Encapsulado: TO-247
  • Diodo rápido antiparalelo integrado
  • Aplicaciones: Conversión y control de potencia de alta frecuencia